得到這個訊息，許振鳴立即給胡明鎮打電話，要求胡明鎮來這間會議室裡開會。掛完電話，他朝雷布斯一揚眉，“你要不要聽一聽他們的技術討論？”
“不了。你們討論的技術太專業，我摻和不了。”雷布斯撇了撇嘴，大嘴巴一歪。他能聽懂許振鳴端茶送客的意思，只好給自己找一個臺階下。
在一鳴集團公司內部，Foundry製程工藝技術是最核心的核心，最關鍵的關鍵所在。任何人跟項技術接觸，都要簽訂限制級別最高的保密協議。更何況雷布斯還不是一鳴集團公司的高管，他只能提前離場了。
雷布斯離開後不多久，胡明鎮來到。
“許董，是有這麼一回事。你率領搞金融專業的團隊在香江殺瘋了的時候，我們這幫人也沒閒著，是已經把FinFET製程技術提高一個檔次。不過這種製程技術還不是很完美，還沒有突破100奈米。”
胡明鎮有些遺憾的搖搖頭，確認章釹京給許振鳴提供的訊息。他現在也在苦惱，還有些自我懷疑，認為FinFET製程技術的理論有問題。
按照胡明鎮的設想，FinFET製程技術可以無限提高，蝕刻在矽晶圓片上的物理電路圖可以無限提高和疊加層次，最後能達到分子級別。
“分子層才是矽晶片的極限。只要我們能做到這種光刻水平，三代光刻機就能夠用了，無需在鐳射的光源方面做文章。”胡明鎮如是說道。
他這番理論倒是可以理解，但目前的技術手段達不到。
故此，胡明鎮已經不自信了，開始自我懷疑FinFET製程工藝的理論。矽晶圓的晶體結構特點好像並不適合FinFET製程工藝，這項製程工藝無法到達極限。
“達不到極限也沒關係，我們現在能做出四層蝕刻。再加把力，只要能做到八層蝕刻足夠應對各種局面。”
這時候，剛剛來到的章釹京卻張開大嘴，大笑著說道。
他很樂觀，認為最近不久才取得突破的FinFET製程技術很值得慶賀一番，並且想要請許振鳴給予賜名。
因為做製程技術試驗花費比較多，他們的團隊成員們正在討論方案，修改上次試驗過程中存在錯誤程式，並沒把這種不成熟的技術當作專案彙報上來。
許振鳴根本不在意章釹京解釋的內容，隨意的一揮手，“章總、胡主任、章主任，咱們現在要討論的問題是FinFET製程工藝得到提高，成本有沒有下降？”
按照慣例，許振鳴給新一代FinFET製程工藝技術取名為“FinFET+1”的Foundry製程工藝。他希望這項技術能繼續升級下去，直至達到n+1這種境界，達到胡明鎮所提及的分子層境界。
但目前來說，這項技術提高之後，原來的FinFET製程工藝有沒有提高。這才是許振鳴所關心的。