“你怎麼知道採用ArF技術會造成更多的線邊波動和不規則性？
關於ArF技術路線，在IEEE的雜誌上有，但是無論是尼康還是佳能的工程師發表在上面的論文，都只說了好處沒有說缺陷。”林本堅驚訝地問。
周新說：“尼康和佳能為了誤導競爭對手，故意不談ArF技術路線的缺點。
為的就是讓競爭對手也踩到這個坑裡去。
他們已經投入了大筆研發經費到ArF技術路線，沒有找到辦法解決ArF光源帶來的線邊波動和不規則性問題，所以他們認為其他競爭對手也解決不了這個問題。”
林本堅默默點頭：“沒錯。
就是這樣。”
周新繼續說：“在技術路線上誤導競爭對手，這不是積體電路領域的常規操作嗎？”
林本堅還是很好奇，他知道ArF技術路線的缺陷，是因為他從事這個領域的研究超過二十年，他有大量的人脈。
由於保密協議的緣故，他的朋友無法直接告訴他，只能透過暗示的方式，向他透露ArF技術路線有重大缺陷。
他對此也只是猜測，沒有證據的猜測。
為什麼周新能夠說得如此篤定，並且把ArF技術路線的缺陷也說得如此清楚。
要知道有資格進行ArF技術路線實驗的實驗室，也就那幾家光刻機公司。
周新戰術喝水之後說：“林伯，我知道你在想什麼，我是不是買通了尼康的技術人員，從他們那獲得了技術機密。
實際上ArF技術路線的缺陷，這很容易就推理出來。
ArF光源的波長為193奈米，相較於KrF光源的248奈米波長更短。短波長光源在光刻過程中，顯然會受到更嚴重的散射、衍射和光學近場效應的影響，導致圖案傳輸過程中的線邊波動和不規則性增加。
同時使用ArF光源的光刻技術用於更先進的製程節點中，這導致晶圓需要實現更高的解析度。
隨著尺寸的縮小，光刻過程中的圖案邊緣更容易受到光學近場效應、衍射和光刻膠吸收等因素的影響，從而導致線邊波動和不規則性。
這是基於物理知識的推論。”
林本堅鼓掌，“精彩的推演和敏銳的洞察力。
當時正明和我說他從燕大找到了天才學生的時候，我還在想到底有多天才，讓他那麼得意。
你在這方面的天賦比我猜測的還要更出色。
伱剛剛說的還差了兩點。
一點是ArF光源的波長更容易被光刻膠吸收，這會導致光刻膠的曝光不均勻，進而影響成像質量。所以需要專門針對ArF光源設計專門的光刻膠。
但是專門針對ArF光源設計光刻膠，來減少吸收呢，新光刻膠又很有可能會進一步造成線邊波動和不規則性。
另外採用ArF來構建先進製程，會採用多重曝光技術、相位移光掩膜技術和偏振光技術等。
這些技術一定程度上又會增加線邊波動和不規則性。